25273: مدلسازی و طراحی اتصالات در مدارات مجتمع
نام درس: مدلسازی و طراحی اتصالات در مدارات مجتمع (Modeling and Design of VLSI Interconnections)
شماره درس: 25273
پیشنیاز(ها): 25754 (ساختار کامپیوتر و میکروپروسسور و آز)
همنیاز(ها): -
تعداد واحد: 3
مقطع: دکترا
آخرین ویرایش: پاییز 1391
توضیحات:
سرفصلها:
مراجع:
شماره درس: 25273
پیشنیاز(ها): 25754 (ساختار کامپیوتر و میکروپروسسور و آز)
همنیاز(ها): -
تعداد واحد: 3
مقطع: دکترا
آخرین ویرایش: پاییز 1391
توضیحات:
این درس به بررسی تکنولوژی VLSI، قانون مور، چالشهای کوچکسازی و سیر تکاملی اتصالات میپردازد. موضوعات شامل محدودیتهای ادوات، مهاجرت الکترونی و راهحلهای مداری/موادی است. تکنولوژی ساخت اتصالات مانند Wet etching، Lift-off، و محدودیتهای عرض سیم مورد بحث قرار میگیرد. همچنین، توزیع طولی سیمها، مرور خط انتقال، معادلات موج تخت، اثر پوستی، محاسبات تاخیر RC و RLC و نویز بررسی میشود. راهحلهای نوین نظیر اتصالات نوری، نانولولههای کربنی و نانونوارهای گرافینی نیز مطرح میشود.این درس به بررسی تکنولوژی VLSI، قانون مور، چالشهای کوچکسازی و سیر تکاملی اتصالات میپردازد. موضوعات شامل محدودیتهای ادوات، مهاجرت الکترونی و راهحلهای مداری/موادی است. تکنولوژی ساخت اتصالات مانند Wet etching، Lift-off، و محدودیتهای عرض سیم مورد بحث قرار میگیرد. همچنین، توزیع طولی سیمها، مرور خط انتقال، معادلات موج تخت، اثر پوستی، محاسبات تاخیر RC و RLC و نویز بررسی میشود. راهحلهای نوین نظیر اتصالات نوری، نانولولههای کربنی و نانونوارهای گرافینی نیز مطرح میشود.
سرفصلها:
- بازبینی تکنولوژی VLSI
- قانون مور
- مسیر و چالشهای کوچکسازی مدارات
- سیر تکاملی اتصالات
- آینده اتصالات
- چالشهای کوچکسازی
- محدودیتهای ادوات و اتصالات
- راهحلهای مداری/ موادی
- مهاجرت الکترونی
- تکنولوژی ساخت اتصالات
- Wet substrate etching
- Lift-off تکنیک
- Reactive ion etching
- زرنشانی دوگانه
- محدودیتهای عرض سیم (فرسایش و dishing)
- توزیع طولی سیمها
- قانون رنت
- مدل دیویس
- مرور خط انتقال و تعاریف
- معادلات موج تخت
- مد TEM برایسیمهای تلفدار و بدون تلف فلزی
- اندوکتانس (اندوکتانس جزیی، اندوکتانس حلقه)
- خازن (خازن تزویج)
- مقاومت (اثر ابعاد ، ناهمواری سطح ، پراکندگی از ریزدانهها ، آسترها)
- اتصالات به عنوان خط انتقال
- اثر پوستی
- محاسبات تاخیر خطهای RC و RLC (تاخیر المور، تاخیر ساکورای)
- پاسخ ورودی رمپ
- نویز (قربانی/ منبع)، نویز و زمان برخاست، سوییچینگ همفاز و خلاف فاز
- شبکه اتصالات چندلایه
- درج تکرارکننده (تکرارکننده بهینه)
- اتلاف توان (توان دینامیک، توان نشتی، توان اتصال کوتاه)
- بهینهسازی توان (ضرایب لاگرانژی)
- شبکه توزیع توان
- شبکه کلاک
- مدل نرخ - ارسال داده و محدودیتهای آن
- راهحلهای نوین
- اتصالات نوری
- نانولولههای کربنی، نانونوارهای گرافینی
مراجع:
- H. B. Bakoglu, Circuits, Interconnections, and Packaging for VLSI
- J. A. Davis, J. D. Meindl, Interconnect Technology and Design for GSI
- J. Nurmi, Interconnect-Centric Design for Advanced SOC and NOC
- C. K. Cheng, J. Lillis, S. Lin, N. Chang, Interconnect Analysis and Synthesis
- S. H. Hall, G. W. Hall, J. McCall, High-Speed Digital System Design
- Johnson, Graham, High Speed Signal Propagation
آخرین بهروزرسانی: 20 / 4 / 1403