25253: طراحی مدارهای CMOS 1
نام درس: طراحی مدارهای CMOS 1
(CMOS Circuits Design 1)
شماره درس: 25253
پیشنیاز(ها): 25761 (الکترونیک آنالوگ)
همنیاز(ها): -
تعداد واحد: 3
مقطع: کارشناسی ارشد
آخرین ویرایش: پاییز 1391
توضیحات:
سرفصلها:
مراجع:
(CMOS Circuits Design 1)
شماره درس: 25253
پیشنیاز(ها): 25761 (الکترونیک آنالوگ)
همنیاز(ها): -
تعداد واحد: 3
مقطع: کارشناسی ارشد
آخرین ویرایش: پاییز 1391
توضیحات:
هدف این درس آشنایی با اصول و تکنیکهای طراحی مدارهای مجتمع بر اساس تکنولوژی CMOS است.
سرفصلها:
- فیزیک مقدماتی ترانزیستور MOS
- نحوه ساخت
- کوچکسازی ابعاد
- اثرات کانال کوتاه
- مدل ترانزیستور
- نویز در ترانزیستور MOS
- تقویتکنندههای یکطبقه
- طبقه تقویتکننده دیفرانسیلی
- منابع جریان/ آینه جریان
- تقویتکنندههای عملیاتی یکطبقه: مدار تلسکوپی، مدار کسکود تا شده، مدار افزایش بهره، مدار با محدوده سیگنال بزرگ
- تقویتکنندههای عملیاتی چندطبقه: جبرانسازی میلر، جبرانسازی میلر چندحلقهای
- فیدبک نوع مشترک
- طبقات خروجی و طبقات کلاس AB
- مدار Bandgap
- مدارهای سوئیچ و خازن
- مدارهای gm-c
مراجع:
- Behzad Razavi, Design of Analog CMOS Integrated Circuits, McGraw Hill, 2000
- S. M. Atardi, Design of CMOS Analog Integrated Circuits, Lachin, 2000 (In Farsi)
آخرین بهروزرسانی: 20 / 4 / 1403